SJ 50033.57-1995 半导体光电子器件GF115型红色发光二极管详细规范
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ID： |
A4E923397E384DEB8F49F690C88BE45C |
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文件大小(MB)： |
0.42 |
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页数： |
7 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/57-1995,半导体光电子器件,GF 115型半导体红色发光二级管,详细规范,Semiconductor optoelectronic device,Detail specification for red light,emitting diode for type GF115,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体光电子器件,GF115型半导体红色发光二级管详细规范SJ 50033/57T995,Semiconductor optoelectronic device,Detail specification for red light,emitting diode for type GF115,雌,1.I 主题内容,本规范规定了 GF115型红色发光二级管的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于军用GF115型红色发光二级管（以下简称器件）的研制、生产和采购,1.3 分类,1.3.1 器件的等级,按照GJB 33〈半导体分立器件总规范》的规定,提供的质量保证等级为普军和特军两级,分别用字母GP和GT表示,2引用文件,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86 半导体分立器件试验方法,SJ 2355-83 半导体发光器件测试方法,SJ/Z 9014.2-87半导体器件 分立器件和集成电路第5部分:光电子器件,3要求,3.I 概述,各条要求应按照GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构应按照GJB 33中3.5.1、3.5.3、3.5.4、3.5.7条和本规范的规定。外形,尺寸符合本规范图1的规定,3.2.1 半导体芯片材料,芯片材料为磷化镣,3.2.2 引用端排列,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01 实施,SJ 50033/57-1995,血图1所示,mm,尺寸符号,数值,尺寸符号,数值,最小标称最大最小标称最大,A 7.8 - 8.2 e - 2.54 -,B - - 0.7 F 0.8 - 1.2,Bl 0.45 - 0.55 L 24 - -,C 0.45 - 0.55 L1 - - 1.0,虹） 5.8 - 6.0 L2 22.5 一-,附1 4.8 - 5.0 M 5.3 3 5.5,图1,3.2.3 封装形式,环氧树脂非空腔封装,见图1,3.2.4 引线长度,可按合同的规定（见本规范6.2条）提供引线长度不同于本规范图1规定的器件,3.3 引线材料和引线涂层,引线材料为铁合金或铜合金,引线涂层镀银或镀金,也可按照合同规定（见本规范第6.2,条）,3.4 最大额定值和主要光电特性,3.4.I 最大额定值（除另有规定,Tamb = 25じ）,If,(mA),Ifm,(mA),%,(V),P M,(mW) (C),T%,(t),30 100 6 90 - 40T5 一 40.100,注;1）脓冲宽度。.1ms,占空比1/10,3.4.2 主要光电特性（Ta=25じ）,Iv,(med),Iv,(med),vF,(V),スp,(nm),Ctot,(dF),I,(uA),(IF= 10mA,0 = 0°),(Ip - 10mA, (/?= 10mA) Ip - 10mA (V = O,y=lMHz) (Vr = 6V),最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值,最大值最小值最大值,1.5 - 0.8 - 2.5 690 710 - 50 - 5,2,SJ 50033/57-1995,3.5 标志,根据器件特点,省略GJB 33中器件上的标志,其余按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 筛选（仅对GT级）,筛选按GJB 33和本规范表1的规定,表1筛选步骤和条件（仅对GT级）,序号检验或试验,GJB 128,符号,极限值,单位,方法条件最小值最大值,1,内部目检（封装,前）,2073 放大30倍检验- 芯片完整、电极完整-,2 高温寿命1032 T=100*C,/ = 24h,一一- 一,3,热冲击,（温度循环）,1051,除最高温度T =100（,最低温度ー4（rc,循环,次数10次外,其余,试验条件A,- - 一,4 恒定加速,度（不要求） - - - - -,5 密封（不要求） - - - - -,6 高温反偏（不适,用） — 一- - -,7,中间电参数,测试,发光强度,正向电压,反向电流,SJ/Z 9014.2,4.1.1,SJ 2355.2,SJ 2355.3,I = 10mA, 0 = 0,Ip ~ 10mA,Vr = 6V,Iv,vF,%,1.5,2.5,5,med,V,卜A,8 电老化I = 30mA,f=96h,- - 一,9,最后测试,（老化后72h内,完成）,发光强度,正向电压,SJ/Z 9014.2,4,1.1,SJ 2355.2,If = 10mA, 6 = 0,IF= 10mA,△Iv,AVf -,20%初始值,±50,med,mV,10 密封（不要求） - - 一- -,11 外观及机械检验2071 放大20倍检验- 无气泡、无裂缝-,4.3 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33和本规范表2、表3和表4的规定,3,SJ 50033/57-1995,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应包括A组（见表2）、B组（见表3）和……
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